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        蒸发镀膜材料

         

        高纯金属类蒸发材料   高纯贵金属类蒸发材料   高纯化合物类蒸发材料

         

            我公司提供的各种金属,合金,化合物,晶体材料的蒸发材料具有纯度高,交期快捷,订购是灵活的优势。

            将固体材料置于高真空环境中加热,使之升华或蒸发并淀积在特定的衬底上,以获得薄膜的工艺方法。使用导电材料、介质材料、磁性材料和半导体材料,都可以通过真空蒸发工艺而获得淀积的薄膜。利用真空蒸发工艺形成各种薄膜是集成电路制备的一项重要技术。

            蒸发镀膜  通过加热蒸发某种物质使其沉积在固体表面,称为蒸发镀膜。  将蒸发物质如金属、合金、化合物等置于坩埚内或挂在热丝上作为蒸发源,待镀工件,如金属、陶瓷、塑料等基片置于坩埚前方。待系统抽至高真空后,加热坩埚使其中的物质蒸发。膜厚决定于蒸发源的蒸发速率和时间(或决定于装料量),并与源和基片的距离有关。

            蒸发源有三种类型。①电阻加热源:用难熔金属如钨、钽制成舟箔或丝状,通以电流,加热在它上方的或置于坩埚中的蒸发物质,电阻加热源主要用于蒸发Cd、Pb、Ag、Al、Cu、Cr、Au、Ni等材料。②高频感应加热源:用高频感应电流加热坩埚和蒸发物质。③电子束加热源:适用于蒸发温度较高(不低于2000oC)的材料,即用电子束轰击材料使其蒸发。
        蒸发镀膜与其他真空镀膜方法相比,具有较高的沉积速率,可镀制单质和不易热分解的化合物膜

            真空蒸发工艺在微电子技术中主要用于制作有源元件、器件的接触及其金属互连、高精度低温度系数的薄膜电阻器,以及薄膜电容器的绝缘介质和电极等。薄膜磁性元件如存储元件、逻辑元件、光磁元件、声表面波器件、薄膜超导元件等的薄膜,都可用真空蒸发方法获得。

            蒸发主要有电子束蒸发、多源蒸发、瞬时蒸发、激光蒸发和反应蒸发等方法。
        ①电子束蒸发:在5~10千伏/厘米电场下使电子束加速,并通过电子透镜使电子束聚焦,使坩埚中蒸发材料的温度升高到蒸发温度而蒸发。蒸发材料的熔融只限于表面的局部区域,使坩埚保持较低温度,而且电子束可以通过磁场转弯,从而把阴极杂质蒸发挡住。这种蒸发方法不仅可以达到较高的温度(约3000),而且污染很少。电子束加热按聚焦方式分为:直枪式、E枪式和环形枪式。直枪式具有较高的功率密度,适合于蒸发高熔点材料(如氧化铝、氧化锆、钽、钼等)。E枪式具有功率容量大 (约10千瓦)的特点,适于导热性好的材料如铝、金的蒸发,并可获得高达1微米/分的蒸发速度,而且发射电子的灯丝不受蒸发材料的沾污。环形枪式虽然结构简单,但不具备上述特点,使用较少。这几种加热方式仅适用于单元素材料的蒸发。对于多元素材料或化合物因组成元素的蒸气压不同,为了获得薄膜的成分,需要采用多源蒸发,瞬时蒸发、激光蒸发或反应蒸发等方式。
        ②多源蒸发:根据薄膜的组分,使用两个以上蒸发源对材料同时加热蒸发,淀积在同一基片上。控制每个蒸发源的强度,即可获得薄膜组分。
        ③瞬间蒸发:将按需要配制好的多元素材料置于真空室内特定的容器中,待加热器达到预定温度时,通过送料机构将一定量的材料迅速送到已达高温的加热器上瞬间受热蒸发,从而获得一定组分的薄膜。
        ④激光蒸发:用功率密度极高的一束激光脉冲照射蒸发材料的表面,可使材料的受照表面瞬间升温至几千度,任何材料都将在此高温下迅速汽化蒸发。因此,所得的薄膜可保持与原材料同样的组分。
        ⑤反应蒸发:在蒸发淀积的同时,将一定比例的反应性气体(如氧、氮等)通入真空室内,蒸发材料的原子在淀积过程中与反应气体结合而形成化合物薄膜。制备高熔点金属氧化物和氮化物薄膜(如氧化铝、氮化钛等)常采用此种方法。