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        三氧化二镓,氧化镓Gallium(III) oxide, Ga2O3, CAS: 12024-21-4

            我公司提供的三氧化二镓产品规格如下:

        高纯度三氧化二镓Ga2O3粉 (Beta型和Alfa型)

        纯度: 99.99%, 99.999%

        粉末粒度: <10um, -100 mesh, -325 mesh或按要求生产

        包装: 桶装或塑料瓶

        高纯度三氧化二镓Ga2O3溅射靶材及Ga2O3掺杂溅射靶材, 如氧化镓掺氧化锌(GZO) Ga2O3-ZnO, 氧化镓-氧化铟-氧化铟(GIZO) Ga2O3-In2O3-ZnO等, 纯度: 99.99%, 尺寸:直径 355.6mm (14英寸) ,长度 (250mm) ,宽度 (200mm) ,厚度 (20mm), 形状:板材,圆片,矩形,方形,圆环,圆管,台阶圆片,台阶矩形,其他客户订制

        高纯度三氧化二镓Ga2O3蒸发镀膜材料, 纯度:99.95%,99.99%, 规格: 8 x 6, 10 x 8, 1-10mm或定制.

        氧化镓(Ga2O3)氧化镓,外观呈白色结晶粉末,不溶于水和稀酸溶液与碱金属氧化物在高温下反应可生成镓盐。其熔点为 1740 ℃, α型为白色菱形六面体,相对密度6.44;β型为单斜晶体,相对密度5.88。, 折射率: 1.92, 是一种宽禁带半导体,Eg=4.9eV,其导电性能和发光特性长期以来一直引起人们的注意。Ga2O3是一种透明的氧化物半导体材料,在光电子器件方面有广阔的应用前景 ,被用作于Ga基半导体材料的绝缘层,以及紫外线滤光片。它还可以用作O2化学探测器。

        把金属镓在空气中加热至420~440℃;焙烧硝酸盐使之分解或加热氢氧化镓至500℃等都可制得α-Ga2O3。

        将硝酸盐、醋酸盐、草酸盐或其他镓的化合物以及Ga2O3的任意其他异构体加热至1000℃以上均可分解或转化为β-Ga2O3.

        用途: 半导体材料, 陶瓷材料, 光电子器件材料, 光谱分析中用于测定铀中杂质

        包装︰ 桶装, 瓶装, 真空包装产品说明︰ 溅射镀膜,蒸发材料, 用作半导体材料,光谱分析中用于测定铀中杂质,制取钆镓石榴石、催化剂、化学试剂等。优势︰ 高纯度, 高密度, 高品质, 具有竞争力的价格, 快速的交期及完好的服务.最小订购量︰ 1